|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Эффект обратимого резистивного переключения в мемристорах на основе оксида гафниядоклад на конференции
- Авторы: Жигунов Д.М., Мартышов М.Н., Швецов Б.С., Новосельцев А.И., Мацукатова А.Н., Савчук Т.П.
- Всероссийская с международным участием Конференция (Симпозиум) : XXIX Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Даты проведения конференции: 10-14 марта 2025
- Дата доклада: 12 марта 2025
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Жигунов Д.М.
- Место проведения: Нижний Новгород, Россия
- Добавил в систему: Мартышов Михаил Николаевич