ИСТИНА

Материалы на основе вольфрама и его карбида нашли широкое применение в качестве термостойких покрытий для эксплуатации в условиях высоких температур и неокислительной среды. Одним из перспективных решений для нанесения покрытий является технология низкотемпературного химического осаждения из газовой фазы (CVD – Chemical Vapor Deposition), при которой вольфрам осаждается из его фторидов. В отличие от методов газотермического или вакуумного напыления, CVD-процесс обеспечивает возможность нанесения покрытий на поверхности сложной геометрии, включая внутренние полости изделий. При введении углерод- и борсодержащих веществ в газовую смесь становится возможным осаждение различных фаз системы W–C и W-B, включая твердые растворы углерода и бора в вольфраме, которые невозможно получить в равновесных условиях. Эти процессы осуществимы при температуре 450–650 °С и давлениях от 10 до 10 000 Па. [2]. Вольфрам, полученный методом химического осаждения из газовой фазы, нанесенный на поверхность обращенного к плазме элемента, уже показал свою эффективность [3], поскольку демонстрирует, помимо высокой термостойкости, удовлетворительную теплопроводность, низкую пористость и устойчивость в жидком литии [4]. Однако, возможности метода химического осаждения из газовой фазы ограничены размерами покрываемых изделий, а также стоимостью получаемого покрытия, в связи с чем целесообразно рассмотреть иные способы формирования покрытий на основе вольфрама, которые не лимитируют геометрические размеры объектов, подлежащих покрытию. В связи с чем в докладе также представлен метод детонационного напыления покрытий на основе тугоплавких систем, как перспективная технология нанесения защитных слоев на обращенные к плазме поверхности в термоядерных реакторах. Рассматриваются возможности данного метода в получении покрытий целевых характеристик, а также вопросы сопряжения слоев покрытий, полученных различными методами, включая химическое осаждение из газовой фазы и металлизация из растворов.