ИСТИНА

В настоящей работе представлены результаты измерений температурной зависимости темновой проводимости, а также зависимости фотопроводимости от интенсивности освещения для отожженных и освещенных нелегированных пленок a-Si:H при T>400K. Было установлено, что энергия активации пленок в результате освещения уменьшается. Величина показателя степени гамма в зависимости фотопроводимости, пропорциональной интенсивности в степени гамма, в результате освещения пленок также уменьшается. Показано, что эти изменения обусловлены увеличением энергии квазиуровней Ферми в результате образования при освещении в верхней половине запрещенной зоны пленок энергетических уровней фотоиндуцированных при T>400K дефектов типа центровых связей водорода. a-Si:H.