|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Одноэлектронный транзистор на основе одиночных атомов фосфора в кремниидоклад на конференции
- Авторы: Дагесян С.А., Шорохов В.В., Преснов Д.Е., Солдатов Е.С., Трифонов А.С., Крупенин В.А., Снигирёв О.В.
- Всероссийская Конференция : XIII Российская конференция по физике полупроводников
- Даты проведения конференции: 1-6 октября 2017
- Дата доклада: 4 октября 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Снигирёв О.В.
- Место проведения: Екатеринбург, Россия
-
Аннотация доклада:
В настоящей работе нами был экспериментально исследован электронный транспорт через одиночные примесные атомы фосфора, внедренные в кристаллическую решётку кремния.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Исследования фундаментальных физических свойств объектов наноэлектроники
- Твердотельные одноатомные структуры как элементы компонентной базы для квантовых технологий
- Добавил в систему: Крупенин Владимир Александрович