|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Одноэлектронный транзистор на базе одноатомного зарядового центрадоклад на конференции
- Авторы: Петров Р.А., Дагесян С.А., Белоглазкина Е.К., Солдатов Е.С., Гайдамаченко В.Р., Сапков И.В.
- Международная Конференция : 27-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии, 10—16 сентября 2017 г. Севастополь, Крым, Россия
- Даты проведения конференции: 10-16 сентября 2017
- Дата доклада: 14 сентября 2017
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Солдатов Е.С.
- Место проведения: Севастополь, Крым, Russia
-
Аннотация доклада:
Разработана оригинальная методика изготовления металлических электродов нанотранзистора с нанозазором менее 4 нм между ними с помощью контролируемой электромиграции предварительно подвешенных нанопроводов си-стемы. Разработан метод встраивания молекулы аурофильного производного терпиридина на основе родия между полученными электродами. Приведены харак-теристики электронного транспорта через систему, включающую указанную мо-лекулу, свидетельствующие о реализации режима коррелированного (одноэлек-тронного) туннелирования электронов.
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич