|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние низкотемпературного Si-подслоя на фотолюминесценцию дислокаций несоответствия в гетероструктурах Si(001)Si1-xGex с повышенным содержанием Ge в слое твердого растворадоклад на конференции
- Авторы: Бурбаев Т.М., Акмаев М.А.
- Всероссийская Конференция : Вторая Всероссийская конференция “Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника”
- Даты проведения конференции: 28 сентября - 30 октября 2016
- Дата доклада: 30 сентября 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Акмаев М.А.
- Место проведения: ФИАН им. П.Н. Лебедева, Russia
- Добавил в систему: Акмаев Марк Александрович