ИСТИНА

Поиск новых экзотических материалов для сверхпроводящих квантовых устройств привел к возрождению интереса в исследованиях контролируемых джозефсоновских SNS наносистем как диффузных так и баллистических [1]. Однако не всегда оказывается технологически возможным подвести контролирующие электроды напрямую к слабой связи джозефсоновского контакта. В нашей работе исследован случай подвода нормального тока к сверхпроводящему берегу SNS системы. В целом, наблюдалось общее подавление критического сверхпроводящего тока Ic в зависимости от тока инжекции I_inj. В работе были исследованы два варианта инжекции на одной мультитерминальной структуре: из левого N-электрода, расположенного на расстоянии порядка xi_S=200 нм от SNS контакта, и из правого N-электрода, расположенного на расстоянии приблизительно 2.5 xi_S. Экспериментрально обнаружен переход из 0 в pi-состояние в мезоскопических планарных джозефсоновских SNS структрурах на основе Al (S) и Cu (N) при инжекции неравновесных квазичастиц из нормального электрода, присоединенного к левому берегу SNS структуры при T=0.3 K (Рис.1). Были исследованы также вольт-амперные характеристики в зависимости от тока инжекции в температурном диапазоне 0.3-0.8 К. Переход 0-pi наблюдался вплоть до температуры 0.5 К. Такое поведение связано, по-видимому, с возникновением двуступенчатой функции распределения [1,2] на нормальном барьере SNS контакта по аналогии с инжекцией тока непосредственно в N-барьер SNS-контакта [3,4]. 1. S. S. Sankar, J. S. Meyer and M. Houzet // Phys. Rev. B 2022. V. 105. 134515 2. H. Pothier, S. Gueron, N.O.Birge, D. Esteve, and M.H. Devoret // Phys. Rev. Lett. 1997 V.79. 3490. 3. J. J. A. Baselmans, A. F. Morpurgo, B. J. van Wees, and T. M. Klapwijk // Nature (London). 1999. V. 397. 43. 2 Секция 5 4. M.S. Crosser, P. Virtanen, T.T. Heikkila, and N.O. Birge // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 96. 167004