ИСТИНА

Полупроводниковые приборы характеризуются взаимодействием возникающих в них электрического поля и полей плотности дырок и электронов. Моделирование взаимодействия этих полей, как правило, осуществляется на основе диффузионно-дрейфового подхода с привлечением рекомбинационной функции, которая часто выбирается в форме Шокли – Рида – Холла. Такое моделирование приводит к краевым задачам для сингулярно возмущенных нелинейных эллиптических систем, которые в одномерном случае превращаются в аналогичные системы обыкновенных дифференциальных уравнений. В работе дано обобщение предложенного ранее эффективного аналитико-численного метода решения этих задач на случай сингулярно возмущенной системы из M нелинейных дифференциальных уравнений.