ИСТИНА

Применение метода инверсной фотолитографии для получения фотошаблонов является крайне трудоемкой задачей для современных техпроцессов. Несмотря на существенное увеличение вычислительных мощностей в последнее время и активное применение вычислительных сопроцессоров, время обработки только одного слоя микросхемы по технологии 28нм и менее по-прежнему измеряется неделями. В данной работе мы предлагаем адаптацию метода инверсной фотолитографии к решению задачи о локальном исправлении дефектов фотошаблонов. Комбинирование данного подхода с традиционными инструментами решениями задачи об оптической коррекции близости позволяет существенно повысить качество получаемых фотошаблонов, сохраняя в то же время разумную трудоемкость.