ИСТИНА

В работе представлено теоретическое исследование токового транспорта через наиболее перспективную (с точки зрения возможных применений в сверхпроводниковой электронике) джозефсоновскую гетероструктуру с одним ферромагнитным слоем F в области слабой связи: SIsFS переход. Толщина промежуточного s острова перехода должна быть достаточно велика для того, чтобы параметр порядка (потенциал спаривания) в этой области слабой связи был отличен от нуля. Применяя разработанный алгоритм самосогласованного расчета токового транспорта для одномерных джозефсоновских структур, включающих многокомпонентную прослойку из ферромагнитного и (или) изолирующего слоев, удалось показать, что структура с дополнительным сверхпроводящим слоем в области слабой связи обладает максимально возможным значением абсолютной величины произведения критического тока на нормальное сопротивление ICRN. Характерная частота работы такой структуры сравнима с характерной частой туннельных SIS переходов. Кроме того, в интересующей нас области параметров абсолютная величина произведения ICRN практически не меняется при малых изменениях эффективного обменного поля. Это дает возможность изготавливать джозефсоновские переходы с малым разбросом параметров (причем такие параметры отдельно взятого перехода остаются неизменными даже после большого количества циклов записи/перезаписи), что чрезвычайно важно для любых практических применений.