ИСТИНА

Изготовление квазидвумерных структур, нанопластин (НП) с помощью методов коллоидного синтеза позволяет получить большую концентрацию монодисперсных НП с заданными параметрами их структуры, что делает эти структуры интересными для создания фотодетекторов на их основе или на основе композитных материалов, содержащих эти частицы. При этом исследование процессов генерации, переноса и рекомбинации носителей заряда в кластерах НП остается актуальной задачей. В силу того, что НП при нанесении на поверхность вместо однородной пленки зачастую образуют кластеры размерами порядка 10 мкм, электроды для электрических измерений были выполнены из слоёв титана и золота по 40 нм каждый в виде встречно-штырьевой структуры с зазором 7 мкм. Для исследования были выбраны НП с гетероструктурой типа ядро-оболочка 3.5 монослоя СdSe в качестве ядра и 3 монослоя CdS с каждой стороны НП в качестве оболочки. Латеральные размеры НП составили приблизительно 150 х 30 нм. Раствор НП, покрытых олеиновой кислотой (ОК) в качестве лиганда, был нанесен на электроды и высушен при температуре 70 °C в среде аргона при атмосферном давлении. Толщина получившейся неоднородной пленки составила около 80 нм. В работе представлены спектральные зависимости фотопроводимости Δσph(hν) /N, полученные при поданном напряжении V = 1 В, температуре T = 296 K и давлении ~3 Па до и после отжига образца. Отжиг проводился при T = 420 K и давлении 10-3 Па в течение 1 минуты. В результате отжига значение фотопроводимости выросло на 2.5 порядка величины на всём исследованном диапазоне энергий кванта hν падающего излучения, при этом форма зависимости в области hν > 1.8 эВ изменилась незначительно. Также для отожженного образца в области hν < 1.8 эВ удалось зафиксировать низкоэнергетический «хвост» спектра, указывающий на наличие примесной фотопроводимости в материале. По нашему мнению, указанные изменения связаны с испарением ОК в результате отжига. Для исследования процессов переноса носителей заряда в образце была исследована температурная зависимость проводимости σ(T) при наличии и в отсутствии освещения. При освещении энергия кванта hν составляла 2.05 эВ, а интенсивность 10^15 см^(-2)с^(-1). Указанные зависимости σ(T) были получены с помощью измерения токов, проходящих через образец, при напряжении V = 1 В. При измерении представленных зависимостей сначала происходил нагрев и охлаждение при освещении, затем нагрев и охлаждение в отсутствие света. Остаточная фотопроводимость наблюдается в области температур от 142 К до 235 К и при дальнейшем нагреве немонотонно спадает до величин меньших темновой проводимости. Зависимость σ(T) темновой проводимости совпадает с представленной на рисунке темновой зависимостью, полученной при охлаждении. Механизмы генерации и переноса носителей заряда, отвечающие за устойчивую на широком диапазоне температур остаточную фотопроводимость, являются предметами дальнейших исследований. Работа выполнена при поддержке РНФ (проект № 23-72-10008).