ИСТИНА

Осаждение тонких пленок Lu3Fe5O12, Lu3Fe3.4Ga1.6O12 и Lu2BiFe3.4Ga1.6O12 проводили при 600-970оС методом химического осаждения из газовой фазы с использованием металлорганических прекурсоров (MOCVD). В качестве подложек для получения тонких пленок использовались монокристаллические ориентированные Gd3Ga5O12(111) и MgO(100). На первом этапе проводили напыление тонких пленок Lu3Fe5O12 и Lu3Fe3.4Ga1.6O12, не содержащих в своем составе висмута. Показано, что ориентированная кристаллизация фазы граната начинается при 900оС. Кроме того, обогащение пленок железом (относительно катионного состава, необходимого для роста гранатной структуры) приводит к образованию ориентированной примеси α-Fe2O3. По результатам измерений эффекта Керра показано, что пленки Lu3Fe5O12 проявляют магнитооптические свойства. Поскольку структуры гранатов кристаллизуются лишь при высоких температурах (>1000оС), то прямое осаждение висмутзамещенных пленок методом MOCVD является трудноосуществимым из-за высокой летучести Bi2O3. Поэтому в работе предложена двухстадийная методика получения висмутзамещенных гранатных пленок: 1) получение методом MOCVD аморфных, не содержащих висмут пленок состава Lu2( )Fe3.4Ga1.6Ox и 2) дальнейший изопиестический отжиг в парах Bi2O3 с целью насыщения пленок оксидом висмута из пара до состава Lu2BiFe3.4Ga1.6O12. Показано, что отжиг полученных в MOCVD при 600оС аморфных пленок в парах Bi2O3 приводит к улучшенной кристаллизации и насыщению оксидом висмута полученных гранатных пленок.