ИСТИНА

Двумерные (2D) полупроводниковые структуры, такие как квантовые ямы и гетероструктуры, представляют существенный интерес для устройств оптоэлектроники и фотоники. Повышение совершенства в методах их роста, таких как молекулярно-лучевая эпитаксия (MBE) и химическое осаждение из газовой фазы металлоорганических соединений (MOCVD), позволяет создавать наноструктуры с атомарной точностью задания толщины. Предельно тонкие 2D структуры также могут быть получены эксфолиацией слоистых соединений, таких как дихалькогениды переходных металлов. Удивительно, но атомарно-прецизионная точность задания толщины для 2D наноструктур классических полупроводников AIIBVI может быть достигнута в химическом методе синтеза в коллоидных системах. Настоящий доклад посвящен новому типу 2D полупроводников - атомарно-тонким органо-неорганическим наноструктурам халькогенидов кадмия и цинка, выращенным в коллоидных системах. В докладе представлен синтез и свойства таких наноструктур с прецизионно заданной толщиной на уровне единиц атомных плоскостей (менее 1 нм) и протяженными латеральными размерами до 500 нм.