ИСТИНА

Проведены измерения электрической поляризации, индуцированной сильным импульсным магнитным полем до 250 кЭ и кривых крутящих моментов в статических магнитных полях до 12 кЭ монокристаллов BaMnF4 в интервале температур 4.5- 150 К. BaMnF4 принадлежит к семейству фторидов BaMF4 (M=Ni, Co, Mg, Zn, Fe) обладающих ромбической кристаллической структурой (A21am) , для которых наблюдается электрическое и антиферромагнитное упорядочение. В отличие от других фторидов BaMnF4 является пироэлектриком, в нем помимо температур сегнетоэлектрического и антиферромагнитного упорядочения (TC~ 1113 K, TN~ 25 K) наблюдается еще один структурный фазовый переход при TO~ 250 K к несоразмерной моноклинной фазе, которая сохраняется вплоть до низких температур. Ожидаемые магнитные свойства BaMnF4 , имеющего магнитную точечную группу 2’ отличаются от BaMF4 , магнитной точечной группой которых является 2. Ниже TN~ 27K в BaMnF4 возникает двухмерное антиферромагнитное упорядчение в ab- плоскости, при этом при H||b в полях ~ 10 кЭ возникает спин- флоп переход. Симметрия BaMnF4 допускает существования линейного и квадратичного магнитоэлектрического эффектов, а также существование слабого ферромагнитного момента вдоль с- оси ромбического кристалла. Проведенные нами измерения электрической поляризации, индуцированной магнитным полем вдоль различных кристаллографических направлений показали, что продольный квадратичный магнитоэлектрический эффект максимален вдоль а- оси кристалла (Pa(Ha)~ 70 мкКл/м2 при 4.5 К в поле 250 кЭ), вдоль которой направлена спонтанная электрическая поляризация. При ориентации магнитного поля вдоль b- оси наблюдались аномалия магнитоэлектричского эффекта вдоль a-, b-, и с- осей кристалла при спин- флоп переходе.