|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Получение методом ионно-лучевого осаждения структур GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей III поколениядоклад на конференции
- Авторы: Лунин Л.С., Сысоев И.А., Чеботарев С.Н., Пащенко А.С.
- Международная Конференция : ХИМИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА: НАНОМАТЕРИАЛЫ, НАНОТЕХНОЛОГИИ
- Даты проведения конференции: 17-22 октября 2010
- Дата доклада: 18 октября 2010
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Ставрополь, Russia
- Добавил в систему: Чеботарев Сергей Николаевич