ИСТИНА

Предлагается механизм деградации полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами с шириной контакта более 50 мкм, описывающий возникновение нескольких каналов генерации при длине амбиполярной диффузии носителей, меньшей ширины контакта. Со временем длина диффузии носителей уменьшается из-за роста числа дефектов, что приводит к увеличению числа каналов генерации и наполнению спектра излучения лазера. Предлагается аналитическая модель для описания возникновения и существования каналов генерации в активном лазерном резонаторе.