ИСТИНА

В настоящее время перспективной областью развития материаловедения является поиск материалов для устройств молекулярной электроники, где элементарной ячейкой совершения логических операций является одна молекула. Такие материалы, как правило, имеют пониженную размерность, и для их детального изучения требуются методы исследования, основанные на рентгеновском излучении высокой мощности, например, синхротронном излучении. С помощью метода рентгеновского поглощения краевой структуры (XANES – X-ray absorbtion near edge structure) можно, например, получить прямую информацию о степени окисления иона металлоцентра. Для изучения архитектуры таких планарных систем, как монослои Ленгмюра, может быть применен метод рентгеновской дифракции в геометрии скользящего падения, который позволяет оценить степень упорядоченности монослоя и охарактеризовать его структурную организацию.