ИСТИНА

Мемристоры-это устройства, проводимость которых может меняться при прохождении через них заряда. Двумерные (2D) материалы, такие как восстановленный оксид графена (GO) позволяют получить фоторезистивные структуры в планарном исполнении. 2D материалы, модифицированные с помощью углеродных наночастиц (УНЧ), позволяют контролировать резистивные состояния мемристивных структур с помощью света в видимом диапазоне. Целью нашей работы было определение возможных путей восстановления оксида графена для получения полупроводниковых свойств и их функционализации с помощью УНЧ и создания планарной фотомемристивной структуры, чувствительной к свету в видимом диапазоне.