ИСТИНА

Установлено, что при температурах выше 350К наблюдается аномальный эффект Стеблера-Вронского - повышение темновой проводимости и фотопроводимости нелегированной пленки a-Si:H при ее освещении, температурный гистерезис и немонотонная релаксация темновой проводимости предварительно освещенной пленки. Исследованы люкс-амперные характеристики отожженной и предварительно освещенной при высоких температура пленки. Показано, что полученные эффекты могут быть объяснены образованием при повышенных температурах двух типов фотоиндуцированных метастабильных дефектов с разными энергиями образования и термической релаксации. Энергетические уровни этих дефектов расположены в нижней и верхней половинах запрещенной зоны. Предположено, что кроме одиночных фотоиндуцированных метастабильных оборванных связей кремния при повышенных температурах образуются дефекты путем внедрения водорода в слабую Si-Si связь. Именно эти дефекты могут обусловливать обнаруженные аномальные электрические и фотоэлектрические свойства нелегированных пленок a-Si:H.