ИСТИНА

В работе исследована терагерцовая фотопроводимость в пленках на основе Hg1-xCdxTe с инверсной (топологическая фаза) и прямой (тривиальная фаза) структурой зонного спектра, при приложении магнитного поля в фарадеевской геометрии. Показано, что структурах на основе топологической фазы Hg1-xCdxTe сигнал фотопроводимости асимметричен по магнитному полю, что можно рассматривать как нарушение Т-симметрии. Кроме того, фотопроводимость оказывается несимметричной для двух зеркально расположенных пар потенциальных контактов, что можно трактовать как нарушение Р-симметрии. В то же время фотоотклик не изменяется при одновременной инверсии магнитного поля и замене пары потенциальных контактов на зеркально расположенную, демонстрируя PT-инвариантность. Важно отметить, что в равновесных условиях Р- и Т- симметрии сохраняются. Продемонстрировано, что нарушение Р- и Т- симметрии обусловлено возникновением нелокальной краевой фотопроводимости под действием импульсов терагерцового излучения. Краевые фототоки являются киральными и нечетными по магнитному полю и по приложенному напряжению. Обсуждаются возможные механизмы эффекта.