ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
В нашей работе с помощью высокотемпературного ампульного синтеза были получены следующие соединения: Ni6GaCh2, (где Ch ‒ S, Se, Te) и Ni9Ga2Ch2, (где Ch ‒ Se). Для изучения электронного строения и принципиальной возможности образования соединений состава Ni6GaCh2 и Ni10Ga2Ch2, где Сh ‒ S, Se, Te были проведены квантово-химические расчеты в рамках теории функционала электронной плотности (DFT) с использованием программ ELK (LAPW) и VASP (PAW). Расчеты зонной структуры для всех соединений предсказывают металлический тип проводимости, при этом наблюдается значительное сходство картины плотности состояний вблизи уровня Ферми для тройных халькогенидов и прототипа их структур – Ni3Ga.