ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Проведено фемтосекундное лазерное облучение аморфных тонких пленок Ge2Sb2Te5 на диэлектрических подложках при различных временах экспозиции. Обнаружено, что с ее увеличением происходят как обратимые фазовые переходы, так и формирование поверхностных решеток с периодом близким к длине волны (1.25 мкм) воздействующего излучения. Период и ориентация полученных структур согласуются с результатами моделирования в рамках теории Сайпа-Друде.