ИСТИНА

За последние 20 лет в области полупроводниковой техники был совершен переворот за счет исследований и разработок структур на основе нитрида галлия. Среди его важных конкурентных преимуществ называют высокую термическую, химическую и радиационную стойкость, хорошую теплопроводность и высокую подвижность зарядов. На данный момент главной проблемой остается высокая дефектность кристалла при его изготовлении, возникающая в результате сильного рассогласования физических свойств GaN и материала затравки. Поэтому важной задачей является исследование дефектной структуры полученного кристалла. В результате выполнения работы методом рентгеновской топографии было выяснено, что образцы деформированы и имеют радиус кривизны равный 1,1 м. По теоретическим данным кристаллической решетки была смоделирована теоретическая кривая дифракционного отражения, сравнение которой с экспериментально полученной кривой дало возможность оценить уровень дефектности образца без учета вклада деформации изгиба.