ИСТИНА

Сверхрешетки с контролируемым беспорядком (СРКБ) представляют собой структуры с квантовыми ямами, распределение уровней размерного квантования в которых задается контролируемым образом путем управления толщинами слоев в процессе роста; они представляют собой модельные квазиодномерные системы, позволяющие изучать влияние величины и типа беспорядка, а также кулоновского взаимодействия на энергетический спектр и кинетические свойства. Проведенные ранее экспериментальные исследования вертикальной (в направлении оси роста) проводимости легированных СРКБ GaAs/GaAlAs обнаружили ряд особенностей, в частности, квазиметаллическую температурную зависимость проводимости при низких температурах даже при большом беспорядке, когда ширина функции распределения уровней заметно превышает ширину минизоны. В этих условиях вертикальная проводимость определяется прыжками с участием фононов между состояниями, локализованными вблизи отдельных ям (или отдельных групп ям – кластеров), и стандартная теория предсказывает ее активационную температурную зависимость. Обсуждаются причины ослабления температурной зависимости проводимости. Одна из них состоит в подавлении вертикального беспорядка за счет вертикального экранирования, обусловленного перераспределением электронов между ямами СРКБ; проведенные расчеты показывают, что хотя экранирование может играть существенную роль, однако его недостаточно для объяснения эффекта. Другая причина связана с тем, что при понижении температуры в критических областях, определяющих сопротивление структуры, происходит переход к режиму туннельных прыжков на удаленные ямы. Показано, что в СРКБ наиболее вероятны туннельные переходы через промежуточные состояния с участием акустических фононов; при этом зависимость вертикальной проводимости от температуры и от амплитуды беспорядка может становиться слабой.