|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The silicon pixel sensors in ATLASдоклад на конференции
- Автор: Горелов И.В.
- Международная Конференция : DPF 2000: The Meeting of the Division of Particles and Fields of the American Physical Society
- Даты проведения конференции: 9-12 августа 2000
- Дата доклада: 10 августа 2000
- Тип доклада: Приглашенный
- Докладчик: Горелов И.В.
- Место проведения: Columbus, Ohio , United States
-
Аннотация доклада:
The ATLAS experiment is now in the process of finalizing the development of the design of silicon pixel sensors for use in the pixel detector. The sensors will be operated in a severe LHC radiation enviroment with bias voltages at the end of lifetime up to 600 V while maintaining a good signal-to-noise ratio and charge collection efficiency, small cell size and minimal multiple scattering. The radiation hardness issues and quality assurance procedures are discussed.
- Добавил в систему: Горелов Игорь Владимирович