|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Напряженно-компенсированные гетероструктуры InGaAs/GaAsP/AlGaAs/GaAs (λ=1030-1060 нм), выращенные методом МОС-гидридной эпитаксиидоклад на конференции
- Авторы: Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А.
- Всероссийская Конференция : XV международная конференция Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и наносистемы
- Даты проведения конференции: 4-7 сентября 2012
- Дата доклада: 5 сентября 2012
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Ульяновск, Russia
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич