|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Исследование возможности построения одноэлектронного устройства на одноатомных зарядовых центрах молекулы соединения родия с производной терпиридинадоклад на конференции
- Авторы: Паршинцев А.А., Солдатов Е.С., Шорохов В.В.
- Всероссийская с международным участием Конференция (Семинар (workshop)) : XV Всероссийская школа-семинар «Волновые явления в неоднородных средах» имени А.П. Сухорукова («Волны-2016»)
- Даты проведения конференции: 5-10 июня 2016
- Дата доклада: 7 июня 2016
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Паршинцев А.А.
- Место проведения: Красновидово, Московская область, Russia
-
Аннотация доклада:
В результате анализа рассчитанных в данной работе одночастичных электронных спектров молекулы КСРАПТ определены электронные одночастичные энергетические уровни, которые определяют особенности электронного транспорта через эту молекулу в одноэлектронном транзисторе на ее основе. Таким образом, проведенный анализ показал возможность построения одноэлектронного транзистора на основе молекулы КСРАПТ, причем формирование туннельного тока через него определяются небольшим количеством одночастичных состояний молекулы, определяемых совокупностью зарядовых состояний и спиновой мультиплетностью. В частности, зарядовые состояния |n| > 2 и состояния со степенью возбуждения больше 2, в процессе электронного транспорта через молекулу практически не реализуются.
- Доклад на конференции выполнен в рамках проекта (проектов):
- Добавил в систему: Солдатов Евгений Сергеевич