ИСТИНА

На базе ускорителя HVEE на 500 кэВ создана экспериментальная линия позволяющая проводить ионную имплантацию и изучать создаваемые структуры методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием in-situ. Проведены эксперименты по внедрению тяжелых ионов (Ar, Fe, Xe и др.) в монокристаллический кремний (110) с энергиями в диапазоне 100 - 300 кэВ и дозами в пределах 1014 - 1016 ион/см2 при комнатной температуре. Облучение проводилось в направлении главной кристаллографической оси <110> и в направлении не содержащем выделеных каналов. В работе представленны результаты изучения влияния направления имплантации, дозы и энергии внедряемых ионов на профиль распределения примеси, а также профиль образования радиационно стимулированных дефектов методом резерфордовского обратного рассеяния. Изучался процесс разориентирования кристаллической решетки под воздействием ионного облучения в зависимости от параметров пучка и направления облучения. Представленно сравнение экспериментальных результатов с моделированием изучаемых процессов в программах позволяющих учесть параметры эксперимента.