|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Optical and electrical properties of porous silicon films formed from amorphous silicon by thermal annealing and stain etchingдоклад на конференции
- Авторы: Pavlikov Alexander V., Gayduchenko Igor A., Timoshenko Victor Yu, Svanbaev Eldos A., Taurbaev Toktar I., Mussabek Gauhar K.
- Международная Конференция : Porous Semiconductors – Science and Technology
- Даты проведения конференции: 2012
- Дата доклада: 26 марта 2012
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Malaga, Spain, Spain
-
Аннотация доклада:
Since porous Si (por-Si) based LEDs are characterized by low stability, the search of new Si-based luminescent material is still belonging to actual tasks. Recently it was demonstrated that nc-Si films with rather efficient PL can be formed from a-Si by using thermal annealing and stain etching. In the present paper we have investigated the optical and electrical properties of nc-Si films prepared from a-Si:H.
- Добавил в систему: Павликов Александр Владимирович