ИСТИНА

Разработан процесс изготовления биосенсора на основе кремниевых полевых транзисторов (ПТ) с каналом-нанопроводом из материала кремний на изоляторе (КНИ) стандартными для микроэлектроники методами. Такая пластина представляет собой тонкий слой монокристаллического кремния, отделенный от кремниевой подложки слоем диэлектрика (оксида кремния). При помощи оптической и электронной литографии формируется маска будущего устройства, которая переносится в верхний слой кремния с помощью реактивного травления до оксида кремния, затем происходит напыление металлических контактов. В последней стадии процесса контакты покрываются диэлектриком для изоляции, тем самым оставляя в контакте с окружающей средой только канал-нанопровод – чувствительную часть сенсора, которая в дальнейшем подвергается модификации для работы с биологическим растворами. Разработана методика измерения вольт-амперных, затворных и шумовых характеристик ПТ c НП, метод определения рабочей точки сенсоров с максимальным отношением сигнала к шуму, а так же проведены измерения рН и детектированию биомолекул в растворе. Предложена конструкция чипов с несколькими чувствительными центрами для исследования возможности их применения для мультиплексного анализа био-объектов.