|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние одноосного сжатия на двумерные электроны на гетерогранице n - GaAs/AlGaAs:Si.доклад на конференции
- Авторы: Минина Н.Я., Богданов Е.В.
- Международная Конференция : 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
- Даты проведения конференции: 15-16 мая 2019
- Дата доклада: 15 мая 2019
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва, Russia
-
Аннотация доклада:
Гальваномагнитные эффекты в слабом магнитном поле и осцилляции Шубникова – де-Гааза в квантующих магнитных полях до 6 Tл были исследованы в (100) n-GaAs/Al{x}Ga{1-x}As:Si гетероструктурах при 4.2 К в условиях одноосного сжатия в направлениях [110] и [1-10] до нагрузок Р = 3.5 кБар. Установлено, что изменение транспортных свойств двумерных электронов на гетерогранице n-GaAs/Al{x}Ga{1-x}As:Si при сжатии обусловлено главным образом появляющимся пьезоэлектрическим полем. Это поле, которое направлено от подложки к гетерогранице при P || [1-10] и в противоположном направлении при P || [110], достигает при P = 1 кБар величины |E| = 11.5 кВ/см, что сравнимо с исходным встроенным полем ~ 100 кВ/см на гетерогранице.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович