|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Кристаллохимическая оценка альтернативных подложек для эпитаксиального наращивания тонких пленок нитридов галлия и алюминиядоклад на конференции
- Автор: Леонюк Н.И.
- Конференция : II Национальная кристаллохимическая конференция
- Даты проведения конференции: 2000
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: Леонюк Н.И.
- Место проведения: Черноголовка, Россия, Russia
-
Аннотация доклада:
Проанализировано свыше 50 различных кристаллических материалов и твердых растворов на их основе с точки зрения кристаллохимического и фазового соответствия, физико-химических свойств и кинетики роста тонких пленок на их поверхности. Основной акцент был сосредоточен на таких соединениях как Al2O3, ZnO, MgO, ZrO2, HfO2, MgAl2O4, ZnAl2O4, ZnGa2O4, TiZn2O4, YAlO3, LaAlO3,LaGaO3, NdGaO3, KTaO3, SrTiO3, Si, SiC. В основу рассмотрения топологии поверхности легла теория Хартмана-Пердока
- Добавил в систему: Леонюк Николай Иванович