![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияния одноосного сжатия до давления Р = 3,5 кбар вдоль направления [110] на сопротивление, эффект Холла и осцилляции магнетосопротивления двумерных электронов в высококачественных гетероструктурах n-GaAs/Al{0.29}Ga{0.71}As:Si было исследовано в темноте и в режиме задержанной фотопроводимости при температуре Т = 1,7 К.