|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ВЛИЯНИЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ НА КОНЦЕНТРАЦИЮ И ПОДВИЖНОСТЬ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ n-GaAs/AlGaAs:Si ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХдоклад на конференции
- Авторы: Минина Н.Я., Богданов Е.В.
- Международная Конференция : 9-й Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники «МОКЕРОВСКИЕ ЧТЕНИЯ»
- Даты проведения конференции: 23 мая 2018
- Дата доклада: 23 мая 2018
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Москва НИЯУ МИФИ, Россия
-
Аннотация доклада:
Влияния одноосного сжатия до давления Р = 3,5 кбар вдоль направления [110] на сопротивление, эффект Холла и осцилляции магнетосопротивления двумерных электронов в высококачественных гетероструктурах n-GaAs/Al{0.29}Ga{0.71}As:Si было исследовано в темноте и в режиме задержанной фотопроводимости при температуре Т = 1,7 К.
- Добавил в систему: Богданов Евгений Владимирович