ИСТИНА

В настоящей работе проводились исследования влияния освещения на фотоэлектрические свойства пленок a-Si:H при повышенных температурах, что позволяло изучать медленные при комнатной температуре изменения свойств материала. Исследовались нелегированные пленки a-Si:H толщиной 0.8 мкм, выращенные методом плазмохимического осаждения. Получено, что величина фотопроводимости и темновой проводимостиувеличивается с ростом интенсивности предварительной изохронной засветки пленки, а величина параметра гамма уменьшается. Увеличение фотопроводимости указывает на то, что в предварительно освещенных пленках уменьшается скорость рекомбинации по сравнению с отожженной пленкой. Было показано также, что при этом уменьшение параметра гамма определялось увеличением скорости рекомбинации электронов в засвеченных пленках вследствие включения дополнительного процесса рекомбинации - бимолекулярной рекомбинации на уровнях хвоста зоны проводимости