ИСТИНА

Современные методы наноструктурирования позволяют контролируемым образом изменять оптические и электрофизические свойства кремнийсодержащих пленок за счет формирования в них областей с нанокристаллами кремния. Подобные структуры могут быть использованы для создания логических элементов, основанных на мемристивном эффекте (явлении изменения проводимости логического элемента в зависимости от пропущенного тока). Для улучшения качества материала-основы мемристора, необходимо контролировать форму, размер и концентрацию кремниевых нанокристаллов, например, осаждая тонкие слои с чередующейся стехиометрией методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) и производя термический отжиг [1]. В данной работе были исследованы оптические и электрофизические свойства многослойных матриц на основе оксида и нитрида кремния, изготовленных методом PECVD, в которых сформированы нанокристаллы кремния размером от 1,5 до 5 нм в результате термического отжига. При анализе спектров фотолюминесценции полученных структур обнаружен сдвиг пиков люминесценции за счет квантово-размерного эффекта, указывающий на хорошее согласование размеров кремниевых нанокристаллов с толщиной отдельных слоев в пленке. Электрофизические измерения показали наличие эффекта гистерезиса вольтамперной характеристики в окрестности нулевого напряжения, а также мемристивного эффекта, проявляющегося в виде скачкообразного изменения силы тока при достижении определенного напряжения.