ИСТИНА

В настоящей работе для нанокомпозитных систем на основе твердого раствора ZnSxSe1-x, темплатированного в матрицу пористого оксида алюминия, удалось достичь увеличения энергии вязи и силы осциллятора экситона, достаточного для наблюдения экситонных эффектов при комнатной температуре. Посредством варьирования диэлектрической постоянной материала полупроводника (путем изменения состава x в ZnSxSe1-x) прямо продемонстрирован эффект диэлектрического усиления экситонов. Величины энергии связи экситонов, которые были оценены на основе анализа спектров поглощения нанокомпозитов, изменяются в пределах от 130 до 250 мэВ. При этом эффект квантового ограничения в исследуемых структурах мал вследствие значительного превышения размерами наночастиц боровского радиуса экситона. Также показано, что энергия связи экситона увеличивается с уменьшением средних радиусов наночастиц, что можно объяснить возрастанием их диэлектрического окружения.