|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Role of VUV emission in etching of OSG low-k film by CF3+доклад на конференции
- Авторы: Alexander Palov, Ekaterina Voronina, Yuri Mankelevich, Olga Proshina, Tatyana Rakhimova
- Международная Конференция : Advanced Metallization Conference 2018
- Даты проведения конференции: 10-13 октября 2018
- Дата доклада: 11 октября 2018
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Alexander Palov
- Место проведения: Пекин, China
-
Аннотация доклада:
It is well known that VUV emission from plasma significantly damages low-k films by eliminating methyl groups on pores surface. However, another effect, namely, how the etch rate in plasma depends on VUV emission is not properly investigated. Our simulation showed VUV emission increases the etch rate of a low-k film up to 25% in fluorocarbon plasma. The authors expect the obtained results to be of help for better understanding of the role of the UV emission during etching.
- Добавил в систему: Палов Александр Петрович