|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивостидоклад на конференции
- Авторы: Аносов И.В., Ормонт Н.Н., Курова И.А.
- Конференция : Всесоюзная конференция “Применение электролюминесценции в народном хозяйстве”
- Даты проведения конференции: 1971
- Тип доклада: не указан
- Докладчик: не указан
- Место проведения: г. Киев
-
Аннотация доклада:
Обнаружено ИК излучение из GaAs в режиме акустоэлектрической неустойчивости. Определены размеры области излучения, длительность излучения и длина волны максимума излучения. Найдена возможность управления местом и временем излучения при использовании образцов сложной формы, основанная на использовании эффекта отражения звукового потока от области неоднородности электрического поля. Обсуждаются возможные механизмы возникновенив ИК излучения из акустоэлектрического домена.
- Добавил в систему: Ормонт Наталия Николаевна