ИСТИНА

Приведены результаты иследований электрических и фотоэлектрических свойств пленок a-Si:H, выращенных послойно методом осаждения в плазме ВЧ разряда с отжигом в водороде каждого слоя и влияния на эти свойства следующего высокотемпературного отжига пленок при температурах выше 300С. Установлено, что в пленках, отожженных при температурах выше 500С, температурная зависимость проводимости не описывается простым активационным законом и имеется значительная проводимость в области низких температур. Обсуждается природа особенностей электрических и фотоэлектрических свойств слоистых пленок и влияния на них высокотемпературного отжига с учетом данных о концентрации водорода в неотожженных и отожженных пленках и наличии микрокристаллических включений в последних.