|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Role of porosity and pore size in structural changes of nanoporous silicon-based materials under low-energy ion irradiationдоклад на конференции
- Авторы: Voronina E.N., Sycheva A.A., Rakhimova T.V.
- Международная Конференция (Семинар (workshop)) : 3rd International Summer School on the Physics of Plasma-Surface Interactions
- Даты проведения конференции: 16-20 июля 2018
- Дата доклада: 19 июля 2018
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Sycheva A.A.
- Место проведения: National Research Nuclear University "MEPhI", Russia
-
Аннотация доклада:
The study of plasma processing of low-k dielectrics involves several fields of research. The detailed understanding of mechanisms of elementary pro-cesses that occur under the irradiation by low-energy (50–200 eV) ions is required for optimization of the patterning technology. The dielectric con-stant of modern low-k films is closely related to their porosity and pore sizes, so analyzing how the intensity of physical sputtering and the ma-terial structure depend on these parameters may reveal potential mecha-nisms of changes in the chemical and physical properties of SiOCH films.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна