ИСТИНА

Слоистые пленки a-Si:H, выращенные методом циклического осаждения с послойным отжигом в водородной плазме относятся к числу модифицированных пленок. В работе исследовалось влияние освещения на электрические и фотоэлектрические свойства этих пленок. Установлено, что кинетика релаксации темновой проводимости слоистой пленки после выключения предварительного освещения описывается суммой двух растянутых экспонент с разными эффективными временами релаксации. Быстрый процесс релаксации соответствует увеличению темновой проводимости, а медленный процесс  ее уменьшению до равновесного значения. Изменения темновой и фотопроводимости пленок a-Si:H при освещении связаны с изменениями плотности электронных состояний в запрещенной зоне, которые определяются двумя процессами: быстрым и медленным. Эти процессы могут быть обусловлены образованием ансамблей метастабильных дефектов разной природы, что возможно связано с различной микроструктурой их ближайшего окружения. Наличие двух различных процессов изменения плотности состояний в запрещенной зоне при освещении слоистых пленок a-Si:H и после его выключения объясняет различные температурные зависимости фото- и темновой проводимости слоистых пленок, освещенных при разных температурах. Во время освещения при низких температурах преобладает быстрый процесс , а при высоких температурах - медленный. Можно предположить, что обнаруженное в настоящей работе увеличение темновой и фотопроводимости слоистых пленок под влиянием освещения (медленный процесс) определяется не образованием новых метастабильных дефектов, а уменьшением концентрации имеющихся в отожженной пленке дефектов акцепторного типа, связанных с кислородом, энергетические уровни которых расположены в нижней половине запрещенной зоны.