|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Анализ результатов моделирования распыления кремния в зависимости от различных Ar-Si потенциаловдоклад на конференции
- Авторы: Сычева А.А., Палов А.П., Воронина Е.Н.
- Международная Конференция : XLVIII Международная Тулиновская Конференция по Физике Взаимодействия Заряженных Частиц с Кристаллами
- Даты проведения конференции: 29-31 мая 2018
- Дата доклада: 29 мая 2018
- Тип доклада: Стендовый
- Докладчик: Сычева А.А.
- Место проведения: МГУ им. Ломоносова, Russia
-
Аннотация доклада:
Физическое распыление широко применяется в современных технологических процессах обработки различных материалов. Компьютерное моделирование данного процесса обычно выполняется с помощью молекулярной динамики (МД) или на основе метода Монте–Карло (МК). Потенциалы, описывающие взаимодействие атомов мишени друг с другом и с налетающими ионами, могут оказывать существенное влияние на точность получаемых при моделировании результатов.В работе анализируется влияние вида Ar-Si потенциала на коэффициент распыления и проводится сопоставление результатов МД и МК расчетов.
- Добавил в систему: Сычева Анастасия Александровна