ИСТИНА

Для изготовления электронных приборов с высоким быстродействием толщина кремниевого слоя на сапфировой подложке должна быть не более 100 нм. Получить такие пленки с небольшим количество структурных дефектов в интерфейсном слое можно с помощью ионной имплантации в 300 нм пленку, высокотемпературного отжига и последущего травления в среде кислорода. Однако получить 100 нм пленку кремния можно и с помощью ионного травления. Этот способ позволяет проводить утонение пленок, не нарушая вакуумных условий.