|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Наблюдение экситонов при комнатной температуре в наноструктурах ZnSxSe1-x в матрице пористогоAl2O3доклад на конференции
- Авторы: Чукавин А.И., Бельтюков А.Н., Валеев Р.Г.
- Всероссийская с международным участием Конференция : Актуальные проблемы микро- и наноэлектроники
- Даты проведения конференции: 28-31 мая 2018
- Дата доклада: 30 мая 2018
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: Чукавин А.И.
- Место проведения: г. Уфа, Россия
-
Аннотация доклада:
В настоящей работе с целью исследования эффекта диэлектрического усиления экситонов методом вакуумного термического испарения синтезированы наноструктуры твердого раствора ZnSxSe1-x в диэлектрической матрице пористого анодного оксида алюминия. На спектрах поглощения образцов при комнатной температуре наблюдаются достаточно узкие пики на краю собственного поглощения полупроводников, которые относятся к оптическим переходам с образованием экситонов. Показано, что при уменьшении диаметров пор матрицы происходит сдвиг максимума экситонного пика в сторону больших энергий, что объясняется увеличением энергии экситона с возрастанием диэлектрического окружения.
- Добавил в систему: Чукавин Андрей Игоревич