ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Распространение лазеров как источников излучения послужило толчком к развитию новых направлений высокочувствительного спектрального анализа. Одно из них — фототермические методы. В их основе лежит превращение поглощенного излучения в тепло за счет безызлучательной релаксации возбужденных состояний. Это приводит к возникновению оптической анизотропии, т. е. в исследуемом объекте образуется оптический элемент. Связь оптических характеристик этого термооптического элемента и количества вещества составляет основу применения фототермической спектроскопии в химическом анализе: измерения светопоглощения на уровне оптических плотностей до 10–8 и концентрации до 10–12 – 10–10 M в объемах 10–18 – 10–15 л и на поверхности. Исследованы чувствительность, воспроизводимость и возможности применения в аналитической химии пяти основных методов фототермической спектроскопии — термолинзовой спектрометрии, фототермической рефрактометрии, термодефлекционной спектроскопии, термооптической микроскопии и фототермической интерферометрии. Исследованы особенности фототермического детектирования в потоке для различных случаев детектирования (параллельно-лучевая и скрещенно-лучевая схемы, ближняя и дальняя зона, проточная фотометрическая кювета, кювета для ВЭЖХ, кварцевый капилляр и канал микрофлюидного чипа) и метода разделения (проточно-инжекционный анализ, ВЭЖХ, капиллярный электрофорез) и предложены оптимальные параметры для каждой комбинации. Предложен подход к описанию термолинзового эффекта в дисперсных системах и неравномерно поглощающих объектах, в частности в твёрдых телах с поглощающей поверхностью, растворах наночастиц и живых системах. Фототермическая спектроскопия использована для прямого определения веществ, ковалентно связанных с поверхностью субстрата, и оценки толщины и сплошности привитого слоя; для исследования процессов адсорбции на уровне концентраций 10–8 M и для определения следовых количеств поглощающих соединений на поверхности инертного носителя в диапазоне концентраций 10–8 – 10–5 M.