|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Small-Angle X-Ray Scattering (SAXS) as an Instrument to Study the Domain Structure of α-Si / nc-Si. доклад на конференции
- Авторы: Bobyl A.V., Boiko M.E., Terukov E.I., Sharkov M.D., Boiko A.M.
- Международная Конференция : Photovoltaic Technical Conference (PVTC 2012). Abstracts. June 6–8, 2012
- Даты проведения конференции: 6-8 июня 2012
- Дата доклада: 7 июня 2012
- Тип доклада: Устный
- Докладчик: не указан
- Место проведения: Aix-en-Provence, France, France
-
Аннотация доклада:
On summarizing the results, microscopically etched thick films of a-Si seem to form an irregular net. We supposed a gas model for pore spatial distribution and a crystal model for cluster-like particles. Columnar domain shape looks like a prism of 200-300 nm in length and up to 40–80 nm in diameter.
- Добавил в систему: Бойко Михаил Евгеньевич