ИСТИНА

Энергия кванта терагерцового излучения составляет лишь единицы миллиэлектронвольт, поэтому, казалось бы, электромагнитное излучение рассматриваемого спектрального диапазона не может приводить к существенным эффектам в неравновесном транспорте полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников. Тем не менее, оказывается, что в целом ряде случаев терагерцовое зондирование позволяет наблюдать нетривиальные фотоэлектрические эффекты в узкощелевых полупроводниках, топологических изоляторах и сверхпроводниках. В докладе будут рассмотрены примеры явлений такого рода, в частности, беспороговая задержанная фотопроводимость в легированных узкощелевых полупроводниках на основе теллурида свинца, фотоэлектромагнитный эффект в топологически нетривиальных материалах, «киральная» беспороговая фотопроводимость в гетероструктурах на основе пленок теллурида ртути – теллурида кадмия в магнитном поле, положительная фотопроводимость при температурах выше критической в высокотемпературных сверхпроводниках, и другие.