ИСТИНА

Методами рентгенофазового анализа, спектрофотометрии и колебательной спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы термически напылённые плёнки стеклообразного темно-красного Se на стеклянных подложках. На основании результатов измерения оптического пропускания в области края Урбаха рассчитаны коэффициенты поглощения пленок до и после их облучения в волновом диапазоне ~ 520 – 610 нм с различными плотностями мощности излучения. Установлено, что свеженапыленные плёнки являются прямозонными полупроводниками с энергией оптической щели 2.07 эВ. Под влиянием облучения в пленках происходят фотоиндуцированные превращения, приводящие к изменению их оптических свойств (коэффициентов отражения, ширины оптической щели, показателей преломления и поглощения и др.). В зависимости от плотности мощности облучения пленок имеют место фотоструктурные превращения, обусловленные различным концентрационным соотношением полиморфоидов высокотемпературных и низкотемпературных полиморфных модификаций в стеклообразной матрице Se.