XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., НовосибирскКонференция
Член программного комитета:
Хохлов Д.Р.
Охват:
Всероссийская с международным участием
Даты проведения:
9-13 сентября 2019
Место проведения:
г. Новосибирск, Russia
Организаторы:
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Институт физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН Новосибирск
Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова
Число участников:
400
Число иностранных участников:
10
Число участников из МГУ:
15
Число докладчиков:
400
Веб-сайт:
https://www.isp.nsc.ru/semicond2019/
Добавил в систему:
Ормонт Наталия Николаевна
Доклады:
2019
Влияние отжига на транспортные и оптические свойства узкощелевых твердых растворов CdHgTe
(Стендовый)
Авторы:
Уаман Светикова Т.А. ,
Иконников А.В. ,
Румянцев В.В. ,
Козлов Д.В. ,
Черничкин В.И. ,
Гавриленко В.И. ,
Варавин В.С. ,
Михайлов Н.Н. ,
Дворецкий С.А. ,
Морозов С.В. ,
Галеева А.В.
2019
Фотопроводимость и эффекты нарушения симметрии, индуцированные терагерцовым излучением и магнитным полем, в структурах на основе Hg1-xCdxTe
(Приглашенный)
Авторы:
Галеева А.В. ,
Казаков А.С. ,
Артамкин А.И. ,
Дворецкий С.А. ,
Михайлов Н.Н. ,
Банников М.И. ,
Данилов С.Н. ,
Рябова Л.И. ,
Хохлов Д.Р.