ИСТИНА

• Охват: Международная
• Даты проведения: 24-29 июля 2016
• Место проведения: Ланьчжоу, China
• Организатор:
  Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences
• Число докладчиков: 200
• Все конференции этой группы
• Добавил в систему: Иешкин Алексей Евгеньевич

Доклады:

• 2016 Electron beam charging of preliminary ion-and electron-irradiated dielectrics (Стендовый)
• Авторы: Zykova E., Minnebaev K., Tatarintsev A., Ivanenko I., Rau E., Khaidarov A.

• 2016 Features of angular dependence of secondary electron emission from metal single crystals (Стендовый)
• Авторы: Minnebaev K., Zykova E., Yurasova V., Ivanenko I., Minnebaev D., Khaidarov A.

• 2016 Influence of channeling under heavy ions implantation in silicon single crystal (Стендовый)
• Авторы: Shemukhin A.A., Nazarov A.V., Petrovic S., Chernysh V.S., Kozhemiako A.V., Balakshin Yu V.

• 2016 Influence of channeling under heavy ions implantation in silicon single crystal (Стендовый)
• Авторы: Балакшин Ю.В., Шемухин А.А., Petrovic S., Черныш В.С., Кожемяко А.В.

• 2016 On the mechanisms of surface smoothing under cluster ion irradiation (Стендовый)
• Авторы: Иешкин А.Е., Черныш В.С., Ермаков Ю.А.

• 2016 Spatial distribution of atoms sputtered from single crystals by gas cluster ions (Стендовый)
• Авторы: Nazarov A.V., Chernysh V.S., Zhao J., Djurabekova F., Nordlund K.

• 2016 The angular distribution of GE bombarded by Argon ions (Стендовый)
• Авторы: Minnebaev D.K., Shemukhin A.A., Ieshkin A.E.

• 2016 The conductivity of high-fluence noble gas ion irradiated CVD polycrystalline diamond (Стендовый)
• Авторы: Borisov A.M., Kazakov V.A., Sigalaev S.K., Ovchinnikov M.A., Shemukhin A.A., Mashkova E.S.

• 2016 The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of impurities and defect in silicon films (Стендовый)
• Авторы: Шемухин А.А., Евсеев А.П., Балакшин Ю.В.